DMN2004WKQ-7, MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059168
- Артикул
- DMN2004WKQ-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Grade
- Automotive
- Brand:
- Diodes Incorporated
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±8V
Цена по запросу
(от 46,41 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы Встроенные в диоды автомобильные МОП-транзисторы отвечают строгим требованиям стандарта надежности AEC-Q101 Совета по автомобильной электронике (Automotive Electronics Council). Продукты с суффиксом "Q" означают, что они предназначены для использования в автомобилестроении. Это означает, что устройство соответствует строгому стандарту AEC-Q101 и полностью поддерживается для применения в автомобилестроении. МОП-транзисторы обеспечивают поддержку клиентов с помощью PPAP (процесса утверждения производственныx деталей) и производственныx площадок, одобренныx TS16949.
Технические параметры
| Grade | Automotive |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-323-3 |
| Product Category: | MOSFET |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550mOhm @ 540mA, 4.5V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
| Power Dissipation (Max) | 200mW(Ta) |
| Supplier Device Package | SOT-323 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 540 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 550 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 150 pF @ 16 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 540mA(Ta) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 500 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |