DMN2004WK-7, MOSFETs N-Channel
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004701671
- Артикул
- DMN2004WK-7
- Бренд
- DIODES INC.
- ECCN
- EAR99
- Type
- 1PCSNChannel
- HTSUS
- 8541.21.0095
- Series
- Automotive, AEC-Q101 ->
Цена по запросу
(от 50,07 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| Type | 1PCSNChannel |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Series | Automotive, AEC-Q101 -> |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | В±8V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.01 |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Серия: | DMN2004 |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Продукт: | MOSFET Small Signal |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250ВµA |
| Структура | N-Channel |
| Base Product Number | DMN2004 -> |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Технология: | Si |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550mOhm @ 540mA, 4.5V |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 200mW (Ta) |
| Supplier Device Package | SOT-323 |
| Тип продукта: | MOSFET |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1V @ 250uA |
| Конфигурация: | Single |
| Подкатегория: | MOSFETs |
| Производитель: | Diodes Incorporated |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 150pF@16V |
| Торговая марка: | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок: | SOT-323-3 |
| Continuous Drain Current (Id) | 540mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Канальный режим: | Enhancement |
| Тип транзистора: | 1 N-Channel |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 550mО© @ 540mA,4.5V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 200mW |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 16V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
| Категория продукта: | МОП-транзистор |
| Количество каналов: | 1 Channel |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 540mA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 540mA (Ta) |
| Полярность транзистора: | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности: | 200 mW |
| Id - непрерывный ток утечки: | 540 mA |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | -8 V, +8 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V@250uA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 550 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 20 V |
| Минимальная рабочая температура: | -65 C |
| Максимальная рабочая температура: | +150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 500 mV |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Размер фабричной упаковки: Размер фабричной упаковки: | 3000 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 550mΩ@4.5V, 540mA |