DMN2004VK-7, Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001069594
- Артикул
- DMN2004VK-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Type
- 2 N-Channel
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMN2004
- Product:
- MOSFET Small Signal
Цена по запросу
(от 18 ₽)
Минимальный заказ: 1700 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Type | 2 N-Channel |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMN2004 |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Fall Time: | 36.1 ns |
| Rise Time: | 13.3 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Package/Case: | SOT-563-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 250mW |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 250 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 150pF@16V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 53.5 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 540mA |
| Id - Continuous Drain Current: | 540 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 550 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 500 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.54 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |