Моя заявка (0)
DMN2004TK-7, Транзистор: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026430584
Артикул
DMN2004TK-7
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DMN2004
Product:
MOSFET Small Signal
Fall Time:
9.1 ns
Цена по запросу
(от 36,94 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:DMN2004
Product:MOSFET Small Signal
Fall Time:9.1 ns
Rise Time:9.1 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-523-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:150 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-8 V, +8 V
Typical Turn-On Delay Time:8.5 ns
Typical Turn-Off Delay Time:51 ns
Id - Continuous Drain Current:540 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:550 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:500 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.15
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация