DMN2004DWK-7, MOSFETs Dual N-Channel
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059165
- Артикул
- DMN2004DWK-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMN2004
- Product:
- MOSFET Small Signal
- Fall Time:
- 10.5 ns
Цена по запросу
(от 59,99 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMN2004 |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Fall Time: | 10.5 ns |
| Rise Time: | 7.3 ns |
| Вес, г | 286 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-363-6 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 530 pC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity | 2 N Channel(Double) |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1V @ 250uA |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4.1 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 13.8 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 540 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 550mО© @ 540mA,4.5V |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 550 mOhms |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 200mW |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 540mA |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 500 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.4 Ом |