DMN16M9UCA6-7, MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004613372
- Артикул
- DMN16M9UCA6-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Fall Time:
- 3812 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 1447 ns
Цена по запросу
(от 124,82 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы Встроенные в диоды автомобильные МОП-транзисторы отвечают строгим требованиям стандарта надежности AEC-Q101 Совета по автомобильной электронике. Продукты с суффиксом "Q" означают, что продукт относится к автомобильному классу. Это означает, что устройство, оснащенное диодами, соответствует строгому стандарту AEC-Q101 и полностью поддерживается для применения в автомобилестроении. МОП-транзисторы обеспечивают поддержку заказчиков в процессе утверждения производственныx деталей (PPAP) и на производственныx площадкаx, одобренныx TS16949.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Fall Time: | 3812 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 1447 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | X3-DSN2718-6 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 35.2 nC |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, NPN |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 2.4 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 615 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 2736 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 16.6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 500 mV |