DMN1260UFA-7B, MOSFETs 12V N-Ch Enh FET 8 VGS 60pF 0.92nC
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059160
- Артикул
- DMN1260UFA-7B
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 67
- Серия
- DMN1260
- Структура
- N-Channel
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 70 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 12V N-Ch Enh FET 8 VGS 60pF 0.92nC
Технические параметры
| Вес, г | 67 |
| Серия | DMN1260 |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 59.2 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | X2-DFN0806-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 960 pC |
| Время нарастания | 18.8 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 360 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 200 mA |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 366 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 12 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Типичное время задержки выключения | 106.5 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7.4 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 12 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 8 V, +8 V |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 366 mOhms |