DMN10H700S-7, MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005541521
- Артикул
- DMN10H700S-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.01
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 400мВт
- Структура
- MOSFET
Цена по запросу
(от 85 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 400мВт |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | - |
| Drain Source On State Resistance | 0.54Ом |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 700мА |
| Рассеиваемая Мощность | 400мВт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 61 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.54Ом |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |