Моя заявка (0)

Diodes Inc Dual N-Channel MOSFET, 270 mA, 100 V, 6-Pin U-DFN2020 DMN10H6D2LFDB-7

Diodes Inc Dual N-Channel MOSFET, 270 mA, 100 V, 6-Pin U-DFN2020 DMN10H6D2LFDB-7

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015181045
Артикул
DMN10H6D2LFDB-7
Бренд
DIODES INC.
Pin Count
6
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Цена по запросу
(от 53,20 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

DiodesZetex представляет собой N-канальный МОП-транзистор с режимом усиления, разработанный для минимизации сопротивления в режиме включения (RDS(ON)) при соxранении превосxодныx xарактеристик переключения, что делает его идеальным для высокоэффективныx систем управления питанием.

Технические параметры

Pin Count6
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeU-DFN2020
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Особенностиполевая сборка
Number of Elements per Chip2
Power Dissipation N Channel1Вт
Power Dissipation P Channel1Вт
Maximum Drain Source Voltage100 V
Maximum Gate Threshold Voltage2V
Maximum Drain Source Resistance10 Ω
Maximum Continuous Drain Current270 mA
Количество Выводов6вывод(-ов)
Drain Source On State Resistance N Channel3.4Ом
Drain Source On State Resistance P Channel3.4Ом
Стиль Корпуса ТранзистораU-DFN2020
Непрерывный Ток Стока, N Канал270мА
Непрерывный Ток Стока, P Канал270мА
Максимальная Рабочая Температура150°C
Напряжение Истока-стока Vds, N Канал100В
Напряжение Истока-стока Vds, P Канал100В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.27
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)3.4 Ом

Техническая документация