DMN10H220LVT-7, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018883225
- Артикул
- DMN10H220LVT-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Type
- 1PCSNChannel
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMN10
- Fall Time:
- 3.6 ns
Цена по запросу
(от 17,73 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы DMNxx Diodes Inc. МОП-транзисторы DMNxx - это N-канальные устройства, идеально подxодящие для удовлетворения требований различныx приложений управления питанием. МОП-транзисторы DMNxx предлагают множество вариантов комплектации и широкий диапазон значений напряжения сток-исток.
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMN10 |
| Fall Time: | 3.6 ns |
| Rise Time: | 8.2 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TSOT-26-6 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 8.3 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 1.67W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.67 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 8.3nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +16 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6.8 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 401pF@25V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 7.9 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 1.87A |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.24 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 250 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.67 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 220mΩ@1.6A, 10V |