Моя заявка (0)
DMN10H220LPDW-13, Транзистор: N-MOSFET x2

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070070744
Артикул
DMN10H220LPDW-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Fall Time:
4.2 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
8.7 ns
Цена по запросу
(от 97,47 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент силовыx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Fall Time:4.2 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:8.7 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFETs
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerDI5060-8
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:6.7 nC
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Pd - Power Dissipation:2.2 W
Typical Turn-On Delay Time:6.2 ns
Typical Turn-Off Delay Time:7.4 ns
Id - Continuous Drain Current:8 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V

Техническая документация