DMN10H220LK3-13, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8023322890
- Артикул
- DMN10H220LK3-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Case
- TO252
- Mounting
- SMD
- Вес, г
- 0.42
- Gate charge
- 6.7nC
Цена по запросу
(от 88,45 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Case | TO252 |
| Mounting | SMD |
| Вес, г | 0.42 |
| Gate charge | 6.7nC |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 4.7A |
| Kind of channel | enhancement |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 7.5W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 0.25Ω |
| Drain-source voltage | 100V |
| Pulsed drain current | 30A |
| Особенности | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 18.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 220mΩ@2A, 10V |