Моя заявка (0)

Diodes Inc DMN10H220LFVW N-Channel MOSFET, 11 A, 100 V, 8-Pin PowerDI3333-8 DMN10H220LFVW-7

Diodes Inc DMN10H220LFVW N-Channel MOSFET, 11 A, 100 V, 8-Pin PowerDI3333-8 DMN10H220LFVW-7

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014552616
Артикул
DMN10H220LFVW-7
Бренд
DIODES INC.
Series
DMN10H220LFVW
Pin Count
8
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 75,73 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы серии DiodesZetex DMN10H220LFVW спроектированы таким образом, чтобы минимизировать сопротивление во включенном состоянии и поддерживать превосxодные xарактеристики переключения, что делает иx идеальными для высокоэффективныx систем управления питанием.

Технические параметры

SeriesDMN10H220LFVW
Pin Count8
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypePowerDI3333-8
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation2.4Вт
СтруктураN-Channel
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage100 V
Maximum Gate Threshold Voltage2.5V
Maximum Drain Source Resistance0.222 O
Drain Source On State Resistance0.164Ом
Maximum Continuous Drain Current11 A
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока11А
Рассеиваемая Мощность2.4Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs2.5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds100В
Стиль Корпуса ТранзистораPowerDI 3333
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.164Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А11
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.164 Ом

Техническая документация