DMN10H220L-7, Транзистор: N-MOSFET; полевой
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017546540
- Артикул
- DMN10H220L-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Case
- SOT23
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
- Width
- 1.4mm
Цена по запросу
(от 47,28 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 100V N-Ch Enh FET 16Vgs 1.6A 1.3W
Технические параметры
| Case | SOT23 |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Width | 1.4mm |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting | SMD |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±16V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.02 |
| Серия | DMN10 |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | DIODES INCORPORATED |
| Package Type | SOT-23 |
| Polarisation | unipolar |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Drain current | 1.3A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 1.3W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250ВµA |
| Структура | MOSFET |
| Base Product Number | DMN10H220 -> |
| Gate-source voltage | ±16V |
| On-state resistance | 0.22Ω |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Drain-source voltage | 100V |
| Pulsed drain current | 8A |
| Технология | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 3.6 ns |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220mOhm @ 1.6A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 1.3 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 8.3 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2.5V @ 250uA |
| Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +16 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Qg - заряд затвора | 8.3 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 250 mΩ |
| Время нарастания | 8.2 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.6 A |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 220mО© @ 1.6A,10V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 1.3W |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 401pF @ 25V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 1.4A |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 1.4A (Ta) |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1.3 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 1.6 A |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 220 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 7.9 ns |
| Типичное время задержки при включении | 6.8 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |