DMN10H170SVT-7, MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.6A 1.2W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005541520
- Артикул
- DMN10H170SVT-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Type
- 1PCSNChannel
- Вес, г
- 0.04
- No. of Pins
- 6Pins
- Channel Type
- N Channel
Цена по запросу
(от 83,19 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Вес, г | 0.04 |
| No. of Pins | 6Pins |
| Channel Type | N Channel |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Transistor Case Style | TSOT-26 |
| Power Dissipation (Pd) | 1.2W |
| Особенности | - |
| Drain Source Voltage Vds | 100V |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 9.7nC@10V |
| Continuous Drain Current Id | 2.6A |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.167nF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 2.6A |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 2V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 160mΩ@5A, 10V |