DMN10H170SK3Q-13, MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V 100V
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018680991
- Артикул
- DMN10H170SK3Q-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Type
- null
- Вес, г
- 1
- Структура
- MOSFET
- Operating Temperature
- -55℃~+150℃@(Tj)
Цена по запросу
(от 102,63 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
100 В 12 А 42 Вт 140 Мом при 5 А, 10 В 3 В при 250 мкА null TO-252 МОП-транзистора ROHS
Технические параметры
| Type | null |
| Вес, г | 1 |
| Структура | MOSFET |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 42W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 9.7nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.167nF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 12A |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 140mΩ@5A, 10V |