DMN10H170SK3-13, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061934620
- Артикул
- DMN10H170SK3-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 1
- Серия
- DMN10
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 50 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 100V N-CH МОП-транзистор 100V 12A
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Серия | DMN10 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 12.8 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 9.7 nC |
| Время нарастания | 11.1 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 42 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 12 A |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 140 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 42.6 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10.5 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |