DMN10H170SFG-7, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8019891769
- Артикул
- DMN10H170SFG-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 1
- Серия
- DMN10
- Структура
- MOSFET
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 46,09 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Ch Enh Mode FET 100Vdss 20Vgss
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Серия | DMN10 |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 3.4 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | PowerDI3333-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 14.9 nC |
| Время нарастания | 2.3 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 2.9 A |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 122 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 13.9 ns |
| Типичное время задержки при включении | 4.4 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 4.4 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.94 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |