DMN10H170SFDE-7, MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.9A 0.66W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059150
- Артикул
- DMN10H170SFDE-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.01
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 2.03Вт
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 85,05 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полевые транзисторы DFN-6(2x2) ROHS
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 2.03Вт |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | - |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Drain Source On State Resistance | 0.116Ом |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 2.9А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Стиль Корпуса Транзистора | U-DFN2020 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.9 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.66 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |