Моя заявка (0)

DMN10H120SE-13, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 3,4А, 1,3Вт, SOT223

DMN10H120SE-13, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 3,4А, 1,3Вт, SOT223

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017543654
Артикул
DMN10H120SE-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DMN10
Fall Time:
2.5 ns
Rise Time:
1.8 ns
Цена по запросу
(от 87 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:DMN10
Fall Time:2.5 ns
Rise Time:1.8 ns
Вес, г0.11
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
КорпусSOT223
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-223-4
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:10 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:2.1 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:3.8 ns
Typical Turn-Off Delay Time:11 ns
Id - Continuous Drain Current:3.6 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:110 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3.4
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация