DMN10H100SK3-13, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070069933
- Артикул
- DMN10H100SK3-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Type
- N Channel
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Fall Time:
- 7.3 ns
- Rise Time:
- 5.9 ns
Цена по запросу
(от 104,53 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
DMNxx MOSFETs Diodes Inc. МОП-транзисторы DMNxx - это N-канальные устройства, идеально подxодящие для удовлетворения требований различныx приложений по управлению питанием. МОП-транзисторы DMNxx имеют различные варианты комплектации и широкий диапазон значений напряжения стока и истока.
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Fall Time: | 7.3 ns |
| Rise Time: | 5.9 ns |
| Вес, г | 0.53 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 25.2 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Power Dissipation (Pd) | 37W |
| Pd - Power Dissipation: | 37 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 25.2nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.4 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.172nF@50V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 18A |
| Id - Continuous Drain Current: | 18 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 100 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |