DMN10H099SK3-13, Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002220366
- Артикул
- DMN10H099SK3-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Pin Count
- 3
- Fall Time:
- 7.3 ns
- Rise Time:
- 5.9 ns
Цена по запросу
(от 54 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент силовыx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 7.3 ns |
| Rise Time: | 5.9 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 25.2 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 0.77V |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 34 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 34 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 25.2 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.4 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 17 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 99 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 17 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 69 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 17 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 34 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |