DMN10H099SFG-13, MOSFETs 100V N-Ch Enh Mode 1127pF 25.2nC
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059146
- Артикул
- DMN10H099SFG-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 7
- Серия
- DMN10
- Структура
- N-Channel
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 111,79 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 100V N-Ch Enh Mode 1127pF 25.2nC
Технические параметры
| Вес, г | 7 |
| Серия | DMN10 |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | PowerDI3333-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 25.2 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2.31 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 4.2 A |
| Коммерческое обозначение | PowerDI |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 99 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |