DMN1045UFR4-7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 12В, 3,2А, 1,26Вт, X2-DFN1010-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8067106366
- Артикул
- DMN1045UFR4-7
- Бренд
- DIODES INC.
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±8V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 0.1
Цена по запросу
(от 27,40 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 12 В 3,2 А (Ta) 500 МВт (Ta) для поверxностного монтажа X2-DFN1010-3
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.1 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 3.2A, 4.5V |
| Power Dissipation (Max) | 500mW(Ta) |
| Supplier Device Package | X2-DFN1010-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.8 nC @ 4.5 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 375 pF @ 10 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A(Ta) |