Моя заявка (0)

DMN1029UFDB-7, Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 12В, 3,7А, 1,4Вт, U-DFN2020-6

DMN1029UFDB-7, Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 12В, 3,7А, 1,4Вт, U-DFN2020-6

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070228933
Артикул
DMN1029UFDB-7
Бренд
DIODES INC.
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Цена по запросу
(от 60,36 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Mosfet-матрица 2-канальная (двойная) 12 В 5,6 А 1,4 Вт для поверxностного монтажа U-DFN2020-6 (тип B)

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
FET Type2 N-Channel (Dual)
Вес, г0.1
FET FeatureStandard
Power - Max1.4W
RoHS StatusROHS3 Compliant
REACH StatusREACH Unaffected
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250ВµA
Base Product NumberDMN1029 ->
Operating Temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs29mOhm @ 5A, 4.5V
Supplier Device PackageU-DFN2020-6 (Type B)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19.6nC @ 8V
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Количество Выводов6вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds914pF @ 6V
Непрерывный Ток Стока5.6А
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C5.6A
Рассеиваемая Мощность1.4Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs1В
Напряжение Измерения Rds(on)4.5В
Напряжение Истока-стока Vds12В
Стиль Корпуса ТранзистораU-DFN2020
Максимальная Рабочая Температура150 C
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.017Ом

Техническая документация