DMN1025UFDB-7, Dual MOSFET, N Channel, 12 V, 12 V, 6.9 A, 6.9 A, 0.018 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8012541906
- Артикул
- DMN1025UFDB-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Case
- U-DFN2020-6
- Mounting
- SMD
- Вес, г
- 0.001
- Gate charge
- 23.1nC
Цена по запросу
(от 149 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Case | U-DFN2020-6 |
| Mounting | SMD |
| Вес, г | 0.001 |
| Gate charge | 23.1nC |
| Manufacturer | DIODES INCORPORATED |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 5.5A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 1.7W |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±10V |
| On-state resistance | 38mΩ |
| Drain-source voltage | 12V |
| Pulsed drain current | 35A |
| Особенности | полевая сборка |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 12 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6.9 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.018 Ом |