DMN1019UVT-7, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070101382
- Артикул
- DMN1019UVT-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMN1019
- Fall Time:
- 11.6 ns
- Rise Time:
- 3.7 ns
Цена по запросу
(от 79 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMN1019 |
| Fall Time: | 11.6 ns |
| Rise Time: | 3.7 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TSOT-26-6 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 50.4 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 1.73 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4.7 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 32.2 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 10.7 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 10 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 350 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |