DMN1019USN-7, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8032006065
- Артикул
- DMN1019USN-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Width
- 1.7mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.12
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 180 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание 12V 9.3A 680mW 10mOhm@4V,9.7A N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Width | 1.7mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.12 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-346 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 680мВт |
| Transistor Material | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.2 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 50.6 nC @ 8 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 12 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 0.8V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.35V |
| Maximum Drain Source Resistance | 41 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.007Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 11 A |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 9.3А |
| Рассеиваемая Мощность | 680мВт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 800мВ |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 12В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SC-59 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.007Ом |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.68 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |