Моя заявка (0)

DMN1019USN-7, МОП-Транзистор 12 В, 9,3 А, 680мВт, 10 мОм, 4 В, канал 9,7AN, МОП-Транзистор SOT-22

DMN1019USN-7, МОП-Транзистор 12 В, 9,3 А, 680мВт, 10 мОм, 4 В, канал 9,7AN, МОП-Транзистор SOT-22

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026700736
Артикул
DMN1019USN-7
Бренд
DIODES INC.
Width
1.7mm
Pin Count
3
Вес, г
0.12
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 31 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание 12V 9.3A 680mW 10mOhm@4V,9.7A N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS

Технические параметры

Width1.7mm
Pin Count3
Вес, г0.12
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSOT-346
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation680мВт
СтруктураМОП-транзистор
Transistor MaterialSi
Forward Diode Voltage1.2V
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation1.2 W
Typical Gate Charge @ Vgs50.6 nC @ 8 V
Maximum Gate Source Voltage-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage12 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage0.8V
Minimum Gate Threshold Voltage0.35V
Maximum Drain Source Resistance41 mΩ
Drain Source On State Resistance0.007Ом
Maximum Continuous Drain Current11 A
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока9.3А
Рассеиваемая Мощность680мВт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs800мВ
Напряжение Измерения Rds(on)4.5В
Напряжение Истока-стока Vds12В
Стиль Корпуса ТранзистораSC-59
Пороговое напряжение на затворе0.65…1.45 В
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В12
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.007Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А9.3
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.68
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)10 МОм

Техническая документация