DMN1019USN-13, 680mW 10m @4.5V,9.3A SC-59 Single FETs, MOSFETs RoHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070090776
- Артикул
- DMN1019USN-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMN10
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±8V
Цена по запросу
(от 24,27 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMN10 |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Fall Time: | 16.8 ns |
| Rise Time: | 57.6 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.03 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SC-59-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 680мВт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 50.6 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 9.7A, 4.5V |
| Pd - Power Dissipation: | 1.2 W |
| Power Dissipation (Max) | 680mW(Ta) |
| Supplier Device Package | SC-59-3 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7.6 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50.6 nC @ 8 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 22.2 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 9.3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Drain Source On State Resistance | 0.007Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 41 mOhms |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2426 pF @ 10 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 2.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.3A(Ta) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 530 mV |
| Непрерывный Ток Стока | 9.3А |
| Рассеиваемая Мощность | 680мВт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 530мВ |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 12В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SC-59 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.007Ом |