DMN1019UFDE-7, Trans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin UDFN EP T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001000763
- Артикул
- DMN1019UFDE-7
- Бренд
- DIODES INC.
- PPAP
- No
- EU RoHS
- Compliant
- Mounting
- Surface Mount
- ECCN (US)
- EAR99
Цена по запросу
(от 37 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 12V 11A с 6-контактным разъемом DFN EP T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 6 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | No Lead |
| Вес, г | 1 |
| Серия | DMN10 |
| PCB changed | 6 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single Quad Drain |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | DFN EP |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | DFN |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 16.8 ns |
| Typical Fall Time (ns) | 16.8 |
| Typical Rise Time (ns) | 22.2 |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | U-DFN2020-E-6 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2170 |
| Qg - заряд затвора | 27.3 nC |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 50.6@8V|27.3@4.5V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±8 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 7.6 |
| Время нарастания | 22.2 ns |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 12 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 57.6 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 0.8 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 11 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 2425@10V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 10@4.5V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 2000 |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 690 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 11 A |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 10 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 12 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 57.6 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7.6 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 800 mV |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 12 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 28 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.69 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |