Diodes Inc N-Channel MOSFET, 12.2 A, 12 V, 6-Pin U-DFN2020 DMN1008UFDF-7
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014511287
- Артикул
- DMN1008UFDF-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Width
- 2.05mm
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Pin Count
- 6
- Fall Time:
- 7.5 ns
Цена по запросу
(от 110 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Этот МОП-транзистор разработан таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление в режиме включения (RDS(ON)) и при этом соxранить превосxодные xарактеристики переключения, что делает его идеальным для высокоэффективныx систем управления питанием.
Технические параметры
| Width | 2.05mm |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Pin Count | 6 |
| Fall Time: | 7.5 ns |
| Rise Time: | 6.6 ns |
| Вес, г | 0.03 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | U-DFN2020 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | U-DFN2020-6 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 13.6 nC |
| Структура | N-Channel |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.7 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.7 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 23.4 nC @ 8 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±8 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.5 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 12 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 17.5 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 12.2 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.3V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 12.5 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 12.2 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6.6 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 300 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 12 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |