DMN1004UFV-7, MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004701663
- Артикул
- DMN1004UFV-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.06
- Структура
- MOSFET
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 98,03 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 12В, 55А, 0,9Вт, PowerDI®3333-8 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Вес, г | 0.06 |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 16.9 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | PowerDI3333-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 47 nC |
| Время нарастания | 10.7 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1.9 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 70 A |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.8 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 12 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 31.6 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5.3 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 300 mV |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |