DMN1003UCA6-7, MOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062880407
- Артикул
- DMN1003UCA6-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Fall Time:
- 6208 ns, 6208 ns
- Rise Time:
- 1694 ns, 1694 ns
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
Цена по запросу
(от 161,65 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент силовыx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Fall Time: | 6208 ns, 6208 ns |
| Rise Time: | 1694 ns, 1694 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.01 |
| Power - Max | 2.67W |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | 2 N-Channel(Dual) |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | X3-DSN3518-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Package / Case | 6-SMD, No Lead |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 56.5 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.3V @ 1mA |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 2.67 W |
| Supplier Device Package | X3-DSN3518-6 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 603 ns, 603 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56.5nC @ 4.5V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 47479 ns, 4747 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 23.6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.3 mOhms, 2.3 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3315pF @ 6V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 500 mV |