Моя заявка (0)

DMN1001UCA10-7, Dual MOSFET, N Channel, 12 V, 12 V, 20 A, 20 A, 0.00319 ohm

DMN1001UCA10-7, Dual MOSFET, N Channel, 12 V, 12 V, 20 A, 20 A, 0.00319 ohm

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8003812678
Артикул
DMN1001UCA10-7
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.2
Channel Type
N Channel
Структура
N-Channel
Особенности
полевая сборка
Цена по запросу
(от 139 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.2
Channel TypeN Channel
СтруктураN-Channel
Особенностиполевая сборка
Power Dissipation N Channel1Вт
Power Dissipation P Channel1Вт
Количество Выводов10вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока20А
Рассеиваемая Мощность1Вт
Drain Source On State Resistance N Channel0.00319Ом
Drain Source On State Resistance P Channel0.00319Ом
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs1.4В
Напряжение Измерения Rds(on)4.5В
Напряжение Истока-стока Vds12В
Стиль Корпуса ТранзистораX2-TSN1820
Непрерывный Ток Стока, N Канал20А
Непрерывный Ток Стока, P Канал20А
Максимальная Рабочая Температура150°C
Напряжение Истока-стока Vds, N Канал12В
Напряжение Истока-стока Vds, P Канал12В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В12
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.00319Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А20
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.00319 Ом

Техническая документация