DMMT5551S-7-F,Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 160 V, 200 mA, 300 mW
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046336148
- Артикул
- DMMT5551S-7-F
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMMT5551
- Вес, г
- 0.001
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 62 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMMT5551 |
| Вес, г | 0.001 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-26-6 |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Pd - Power Dissipation: | 300 mW |
| Gain Bandwidth Product fT: | 300 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 180 V |
| Maximum DC Collector Current: | 200 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 30 at 50 mA, 5 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 160 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 200 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 200 mA |