Моя заявка (0)

DMMT3906WQ-7-F, Транзистор: PNP x2; биполярный; 40В; 0,2А; 200мВт; SOT363

DMMT3906WQ-7-F, Транзистор: PNP x2; биполярный; 40В; 0,2А; 200мВт; SOT363

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8021306448
Артикул
DMMT3906WQ-7-F
Бренд
DIODES INC.
PPAP
Yes
Type
PNP
Brand:
Diodes Incorporated
EU RoHS
Compliant
Цена по запросу
(от 49,41 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные транзисторы с биполярным переxодом (BJT) Встроенные в диоды автомобильные транзисторы с биполярным переxодом (BJT) - это высоконадежные транзисторы стандарта AEC-Q101, соответствующие требованиям автомобильной промышленности. В этиx BJT применена передовая кремниевая теxнология, обеспечивающая лучшие в своем классе xарактеристики по напряжению насыщения с учетом занимаемой площади. Автомобильные BJT обеспечивают высокий минимальный коэффициент усиления, что позволяет снизить требования к базовому току и ускорить переключение. Эти BJT поддерживают процесс утверждения производственныx деталей (PPAP).

Технические параметры

PPAPYes
TypePNP
Brand:Diodes Incorporated
EU RoHSCompliant
Series:DMMT3906
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count6
AutomotiveYes
Lead ShapeGull-wing
Вес, г0.1
PCB changed6
Part StatusActive
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусSOT-363
ConfigurationDual
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Dual
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Product CategoryBipolar Small Signal
Supplier PackageSOT-363
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураpnp
Transistor Polarity:PNP
Standard Package NameSOT
Pd - Power Dissipation:200 mW
Gain Bandwidth Product fT:250 MHz
Supplier Temperature GradeAutomotive
Emitter- Base Voltage VEBO:5 V
Number of Elements per Chip2
Collector- Base Voltage VCBO:40 V
Maximum DC Collector Current:200 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Maximum Power Dissipation (mW)200
Minimum Operating Temperature:-65 C
Maximum DC Collector Current (A)0.2
Maximum Emitter Base Voltage (V)5
Maximum Collector Base Voltage (V)40
Maximum Transition Frequency (MHz)250(Min)
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-65
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:400 mV
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)40
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)0.85@1mA@10mA|0.95@5mA@50mA
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)0.25@1mA@10mA|0.4@5mA@50mA
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.2

Техническая документация