DMJ70H1D3SJ3, MOSFETs MOSFET BVDSS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059126
- Артикул
- DMJ70H1D3SJ3
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 0.34
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 157 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 0.34 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-251-3 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 13.9 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 41 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.3 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 700 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 75 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |