Моя заявка (0)

DMHT10H032LFJ-13, MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V V-DFN5045-12(Type C) T&R 3K

DMHT10H032LFJ-13, MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V V-DFN5045-12(Type C) T&R 3K

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024750084
Артикул
DMHT10H032LFJ-13
Бренд
DIODES INC.
Series
DMHT10H032LFJ
Pin Count
12
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 193 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Серия DiodesZetex DMHT10H032LFJ представляет собой N-канальный МОП-транзистор с H-мостовой конфигурацией. Высокая эффективность преобразования

Технические параметры

SeriesDMHT10H032LFJ
Pin Count12
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeV-DFN5045-12
Power Dissipation900мВт
СтруктураMOSFET
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage100 V
Maximum Gate Threshold Voltage2.5V
Maximum Drain Source Resistance0.033 O
Drain Source On State Resistance0.025Ом
Maximum Continuous Drain Current6 A
Непрерывный Ток Стока6А
Рассеиваемая Мощность900мВт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs2.5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds100В
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В61
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.025Ом
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация