Diodes Inc N/P-Channel MOSFET, 3.1 A, 60 V, 8-Pin SOIC DMHC6070LSD-13
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024693657
- Артикул
- DMHC6070LSD-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 250,35 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
DiodesZetex представляет собой Н-образный мост на МОП-транзистораx нового поколения, который отличается низким сопротивлением при включении, что достигается за счет привода с низким уровнем затворов.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N, P |
| Package Type | SOIC |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Quad |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 5.2 nC, 4.3 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 4 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Особенности | комплементарная пара транзисторов |
| Pd - Power Dissipation: | 1.6 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.1 A, 2.4 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3 V, 3 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.12 O, 0.25 O |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.1 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 100 mOhms, 170 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V, 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |