DMHC4035LSDQ-13, MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059122
- Артикул
- DMHC4035LSDQ-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Pin Count
- 8
- Fall Time:
- 5.5 ns, 15.3 ns
- Rise Time:
- 2.6 ns, 2.9 ns
Цена по запросу
(от 280 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 5.5 ns, 15.3 ns |
| Rise Time: | 2.6 ns, 2.9 ns |
| Вес, г | 0.75 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N, P |
| Package Type | SOIC |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Quad |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel, 2 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 12.5 nC, 11.1 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 4 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.5 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.1 ns, 3.6 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 15 ns, 36.3 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.5 A, 3.7 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3 V, 3 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.1 O, 0.058 O |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 26 mOhms, 49 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V, 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 31 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |