Diodes Inc N/P-Channel MOSFET, 2.9 A, 4.5 A, 40 V, 8-Pin SOIC DMHC4035LSD-13
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024693656
- Артикул
- DMHC4035LSD-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Type
- 2PCSNChannel+2PCSPChannel
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMHC4035
- Pin Count
- 8
Цена по запросу
(от 148,02 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
DiodesZetex представляет собой Н-образный мост на МОП-транзистораx нового поколения, который отличается низким сопротивлением при включении, что достигается за счет привода с низким уровнем затворов.
Технические параметры
| Type | 2PCSNChannel+2PCSPChannel |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMHC4035 |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 5.5 ns, 15.3 ns |
| Rise Time: | 2.6 ns, 2.9 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N, P |
| Package Type | SOIC |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Quad |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel, 2 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 11.1 nC, 12.5 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 4 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 1.5W |
| Особенности | комплементарная пара транзисторов |
| Pd - Power Dissipation: | 1.5 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 12.5nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.1 ns, 3.6 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 574pF@20V |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 15 ns, 36.3 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 4.5A;3.7A |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.5 A, 3.7 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.1 O, 0.058 O |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.9 A, 4.5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 45 mOhms, 65 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.9 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 45mΩ@3.9A, 10V |