DMGD7N45SSD-13, MOSFETs MOSFET BVDSS: 251V-500V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059120
- Артикул
- DMGD7N45SSD-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Grade
- Automotive
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 0.75
Цена по запросу
(от 240,36 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Матрица Моп-транзисторов 450 В 500 мА (Ta) 1,64 Вт для поверxностного монтажа 8-SO
Технические параметры
| Grade | Automotive |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.75 |
| Power - Max | 1.64W |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | 2 N-Channel(Dual) |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Configuration: | Dual |
| Package / Case | 8-SOIC(0.154", 3.90mm Width) |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 6.9 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 400mA, 10V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.64 W |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.9nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 450V |
| Id - Continuous Drain Current: | 500 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4 Ohms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 256pF @ 25V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 450 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 500mA(Ta) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | -30 V, +30 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 251 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.64 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |