DMG9933USD-13, Trans MOSFET P-CH 20V 4.6A 8-Pin SO T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001467049
- Артикул
- DMG9933USD-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMG9933
- Product:
- MOSFET Small Signal
- Fall Time:
- 22.19 ns, 22.19 ns
Цена по запросу
(от 39 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMG9933 |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Fall Time: | 22.19 ns, 22.19 ns |
| Rise Time: | 10.29 ns, 10.29 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Transistor Type: | 2 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 6.5 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.15 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12.45 ns, 12.45 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 46.52 ns, 46.52 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 55 mOhms, 55 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |