DMG8822UTS-13, MOSFETs N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 8V VGSS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038891204
- Артикул
- DMG8822UTS-13
- Бренд
- DIODES INC.
- PPAP
- No
- Mounting
- Surface Mount
- Packaging
- Tape and Reel
- Pin Count
- 8
Цена по запросу
(от 69,96 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 20V 4.9A с 8-контактным разъемом TSSOP T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Active |
| Configuration | Dual Dual Source |
| Package Width | 4.4 mm |
| Package Length | 3.03 mm |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TSSOP |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | SO |
| Typical Fall Time (ns) | 10.1 |
| Typical Rise Time (ns) | 21.1 |
| Особенности | полевая сборка |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 870 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 9.6@4.5V |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | ±8 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 7.8 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 20 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 38.6 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 0.9 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 841@10V |
| Maximum Drain-Source Resistance (mOhm) | 25@4.5V |
| Maximum Gate-Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Пороговое напряжение на затворе | -8 V, +8 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |