DMG7430LFG-7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 9,2А, 0,9Вт, PowerDI®3333-8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017543652
- Артикул
- DMG7430LFG-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand
- Diodes Incorporated
- Width
- 3.35mm
- Series
- DMG7430
- Fall Time
- 5.1 ns
Цена по запросу
(от 41,04 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand | Diodes Incorporated |
| Width | 3.35mm |
| Series | DMG7430 |
| Fall Time | 5.1 ns |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pin Count | 8 |
| Rise Time | 21.2 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 10 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Package Type | PowerDI3333-8 |
| Product Type | MOSFET |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | PowerDI3333-8 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 26.7 nC |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 2000 |
| Pd - Power Dissipation | 2.2 W |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 2.2 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 26.7 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 5.2 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 22.3 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current | 10.5 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 15 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 10.5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 11 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.1V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 17mΩ@10A, 10V |