Моя заявка (0)

DMG7430LFG-7, Trans MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-Pin PowerDI EP T/R

DMG7430LFG-7, Trans MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-Pin PowerDI EP T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001350413
Артикул
DMG7430LFG-7
Бренд
DIODES INC.
Brand
Diodes Incorporated
Width
3.35mm
Series
DMG7430
Fall Time
5.1 ns
Цена по запросу
(от 26 ₽)
Минимальный заказ: 2000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

BrandDiodes Incorporated
Width3.35mm
SeriesDMG7430
Fall Time5.1 ns
PackagingCut Tape or Reel
Pin Count8
Rise Time21.2 ns
TechnologySi
Вес, г10
SubcategoryMOSFETs
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ManufacturerDiodes Incorporated
Package TypePowerDI3333-8
Product TypeMOSFET
ConfigurationSingle
Mounting TypeSurface Mount
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CasePowerDI3333-8
Transistor Type1 N-Channel
Product CategoryMOSFET
Qg - Gate Charge26.7 nC
Number Of Channels1 Channel
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
Transistor PolarityN-Channel
Factory Pack Quantity2000
Pd - Power Dissipation2.2 W
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation2.2 W
Typical Gate Charge @ Vgs26.7 nC @ 10 V
Vgs - Gate-Source Voltage10 V
Typical Turn-On Delay Time5.2 ns
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-Off Delay Time22.3 ns
Maximum Drain Source Voltage30 V
Id - Continuous Drain Current10.5 A
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
Maximum Gate Threshold Voltage2V
Maximum Drain Source Resistance15 mΩ
Maximum Continuous Drain Current10.5 A
Rds On - Drain-Source Resistance11 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage30 V
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage2.5 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А10.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В

Техническая документация