Моя заявка (0)
DMG6968UDM-7, Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin SOT-26 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8069713173
Артикул
DMG6968UDM-7
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DMG6968UDM
Product:
MOSFET Small Signal
Fall Time:
234 ns
Цена по запросу
(от 41 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 20В, 5,2А, 0,85Вт, SOT26 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:DMG6968UDM
Product:MOSFET Small Signal
Fall Time:234 ns
Rise Time:78 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-26-6
Transistor Type:2 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:8.8 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity2 N Channel(Double)Common Drain
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:850 mW
Vgs - Gate-Source Voltage900mV @ 250uA
Vgs - Gate-Source Voltage:-12 V, +12 V
Typical Turn-On Delay Time:53 ns
Typical Turn-Off Delay Time:562 ns
Id - Continuous Drain Current:6.5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance24mО© @ 6.5A,4.5V
Rds On - Drain-Source Resistance:24 mOhms
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)850mW
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage20V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C6.5A
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:900 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.85
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В

Техническая документация