DMG6968UDM-7, Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 20В, 5,2А, 0,85Вт, SOT26
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004266448
- Артикул
- DMG6968UDM-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMG6968UDM
- Product:
- MOSFET Small Signal
- Fall Time:
- 234 ns
Цена по запросу
(от 100,58 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMG6968UDM |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Fall Time: | 234 ns |
| Rise Time: | 78 ns |
| Вес, г | 0.03 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-26-6 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 8.8 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity | 2 N Channel(Double)Common Drain |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 850 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 900mV @ 250uA |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 53 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 562 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 6.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 24mО© @ 6.5A,4.5V |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 24 mOhms |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 850mW |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 6.5A |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 900 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.85 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |