DMG6898LSDQ-13, MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 30V 9.8A 20Vdss
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070050751
- Артикул
- DMG6898LSDQ-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMG6898
- Fall Time:
- 12.33 ns, 12.33 ns
- Rise Time:
- 12.49 ns, 12.49 ns
Цена по запросу
(от 80,50 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMG6898 |
| Fall Time: | 12.33 ns, 12.33 ns |
| Rise Time: | 12.49 ns, 12.49 ns |
| Вес, г | 0.75 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 26 nC |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 1.28 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11.67 ns, 11.67 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 35.89 ns, 35.89 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 9.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 11 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 500 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |